半導體先進製程推進技術藍圖
比利時微電子研究中心（Imec）執行副總裁Jo De Boeck在日本國際半導體展（SEMICON Japan）說明摩爾定律的推進仍然有效。據今年參展設備業者透露，臺積電的先進製程應會跟隨Imec揭露的技術藍圖推進，2024年後進入2奈米世代，2028年進入10埃米世代。
設備商預期，臺積電位於竹科寶山的Fab 20會是2奈米生產重鎮，後續將會在臺灣續建14埃米及10埃米晶圓廠，長線來看資本支出仍會維持上升趨勢。
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Imec指出，未來10年仍可維持每2年微縮一個製程節點的速度前進，預期2026年將進入埃米（angstorm）時代，2032年透過電晶體結構創新可進入5埃米。
有關摩爾定律是否有效的爭論仍然存在，但隨着極紫外光（EUV）的高數值孔徑（High-NA）微影技術獲得突破，邏輯晶片製程的微縮可望在未來10年維持每2年一個世代的步調推進。同時，配合電晶體架構的創新，imec預期先進製程可望在2032年進入5埃米世代，之後仍有機會往3埃米或2埃米方向發展。
電晶體架構的創新是邏輯製程得以依循摩爾定律前進的重要關鍵。Imec指出，電晶體架構鰭式場效電晶體（FinFET）轉進環繞閘極電晶體（GAAFET）後，2奈米及更先進製程可望順利微縮，並在2026年進入埃米世代。
臺積電將在2024年之後量產2奈米，就是採用GAAFET奈米片（Nanosheet）架構。根據邏輯先進製程技術藍圖，2026年同一架構可以推進到14埃米（1.4奈米），2028年進入10埃米（1奈米）世代後，電晶體架構將轉換至GAAFET叉型片（Forksheet），並在2030年推進至7埃米。至於2032年進入5埃米世代，預期互補式場效電晶體（Complementary FET，CFET）架構會是可行方案。
而隨着埃米世代製程微縮，也需要新一代EUV微影技術及新世代材料支援。目前艾司摩爾（ASML）正與臺積電、英特爾、三星等合作投入新一代High-NA的EUV技術開發，預期2025年後加強版2奈米可望先行試用，進入埃米世代後將會支援半導體廠量產。